收藏本站
New Product
SUD19P06-60L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.2
1.9
1.6
V GS = 10 V
I D = 10 A
40
1.3
1.0
0.7
0.4
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
THERMAL RATINGS
25
20
100
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
10 μs
*Limited
100 μs
10
by r DS(on)
15
1 ms
10
1
10 ms
100 ms
5
0
0.1
T C = 25 °C
Single Pulse
DC
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
100
T C - Case Temperat u re (°C)
V DS ? Drain-to-Source Voltage (V)
2
1
0.1
0.01
Maximum Avalanche Drain Current
vs. Case Temperature
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
*V GS
minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73103
S-71660-Rev. B, 06-Aug-07
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUD23N06-31-T4-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD23N06-31L-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD25N15-52-T4-E3 MOSFET N-CH D-S 150V TO252
SUD35N05-26L-E3 MOSFET N-CH D-S 55V TO252
SUD40N02-08-E3 MOSFET N-CH D-S 20V TO252
SUD50N02-09P-E3 MOSFET N-CH D-S 20V DPAK
SUD50N03-06P-E3 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
SUD50N03-09P-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
相关代理商/技术参数
SUD20N10-66L-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:N-CH MOSFET DPAK (TO-252) 100V 66MOHM @ 10V - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Ch MOSFET DPak (TO-252) 100V 66mohm @ 10V
SUD23N06 制造商:SHENZHENFREESCALE 制造商全称:ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd 功能描述:N-Channel 60 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SUD23N06-31 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), MOSFET
SUD23N06-31_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), MOSFET
SUD23N06-31_11 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V (D-S), MOSFET
SUD23N06-31-GE3 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD23N06-31L 功能描述:MOSFET 60V 23A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD23N06-31L-E3 功能描述:MOSFET 60V 23A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube